ثبت دستاورد پژوهشگر ايراني در اداره‌ي ثبت اختراعات آمريکا
دکتر آرش دقیقی، پژوهشگر ایرانی موفق به ثبت اختراعی با عنوانDouble Insulating>سيليکون >>يک عنصر بلوري خالص (Si) که معمول‌ترين ماده نيمه‌رساناي بکار رفته براي توليدICهاست. از آنجايي که سيليکون تنها نيمه‌رسانايي است که اثر اکسيد آن آسان است در صنعت ICسازي از آن بجاي ژرمانيوم، با آنکه ژرمانيوم داراي خواص نيمه‌رسانايي بهتري نسبت به سيليکون است، استفاده مي‌شود. "> Silicon on Diamond Device «افزاره سيليكون روي الماس با عايق دو لايه» به شماره 2010/0295128 US در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا USPTO شد. اختراع دوم ایشان با عنوان «روش بهبود خطی مدارات فرکانس رادیویی ماسفت سیلیکون روی عایق» نیز در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا در مرحله انتشار(Publish) است.
دکتر آرش دقيقي، با مدرك دكتراي مهندسي برق گرايش ادوات مايكروالكترونيك از دانشگاه ايالتي واشنگتن، در حال حاضر، عضو هيئت علمي دانشگاه شهركرد است. وی در گفتگو با بخش اخبار سایت ستاد فناوری نانو گفت: «پيشبرد فناوری كوچك‌سازي افزاره و بهبود رفتار مدارات سيليكون روي عايق، هدف اصلی من در انجام تحقیقاتی بوده که منتج به اختراع شده است».
دکتر دقیقی با بیان این مطلب که افزايش جريان نشتي -كه ناشي از كاهش طول كانال به اندازه چندين نانومتر است از مهم‌ترين موانع كوچك‌سازي نانوافزاره‌ها است، گفت: «در این اختراع با استفاده از نانوساختاري جديد، جريان نشتي افزاره كاهش يافته و امكان اِسكِيلينگ براي نسل بعدي فراهم شده‌است. نتايج شبيه‌سازي كاهش 40 تا 200 درصدي جريان نشتي را براي افزاره‌ی 22 نانومتری سيليكون روي عايق نشان مي‌دهد.
همچنین با كوچك‌سازي افزاره تا محدوده نانومتری، مقاومت بدنه افزايش زيادي يافته است، بطوريكه تغييرات پاسخ فركانسي ترانزيستور روي هدايت خروجي نانوترانزيستور باعث افزايش اثرات غيرخطي مدارات شده‌است».
وی ادامه داد: «با استفاده از فناوری نانو در این پتنت، مي‌توان مقاومت بدنه را تنظيم نمود. همچنین نتايج شبيه‌سازي تقويت كننده نويز پايين 45 نانومتر، مؤيد بهبود رفتار خطي مدار است».
وی درباره کاربرد اختراع خود این‌گونه توضیح داد: «لازم است در اين مورد با ذكر مثالي توضيح مختصري در مورد روند پيشرفت فناوری ساخت ادوات نيمه‌هادي ارایه دهم. همگي ما با موضوع بروزرساني كامپيوتر آشنايي داريم. اگر دقت كنيم، هزينه‌اي كه براي بروزرساني كامپيوتر شخصي خود انجام مي‌دهيم در يك دوره 3 ساله تقريباً يكسان است.
در صورتيكه در اين دوره كارآيي سيستم چندين برابر افزايش پيدا كرده‌است. حافظه ديسك سخت، حافظه موقت و حجم پردازش اطلاعات توسط واحد پردازنده مركزي افزايش يافته‌است.
دليل آن، رشد صنعت نيمه‌هادي است. اين رشد، در صنايع ديگر به ندرت ديده مي‌شود. بطور مثال، در صنعت خودروسازي، انتظار آن نمي‌رود كه سرعت خودرو در طي 3 سال، 2 برابر شود. دليل اصلي رشد صنعت نيمه‌هادي، تعهد شركت‌هاي فعال در اين صنعت به مفهوم قانون مور است كه بطور ساده بيان مي‌نمايد تعداد ترانزيستور در مدارات مجتمع حدوداً هر يك سال و نيم دو برابر مي‌شود.
گسترش مفهوم اين قانون به تمامي زير مجموعه‌هاي صنعت نيمه‌هادي منتج به رشد سريع آن شده است. به همين دليل، كوچك‌سازي مستمر ترانزيستور انجام يافته است كه تحت عنوان اِسكِيلينگ از آن ذكر مي‌شود. از مهم‌ترين موانع كوچك‌سازي مستمر، افزايش جريان نشتي ترانزيستور و روند صعودي توان مصرفي مدارات است».
دکتر دقیقی افزود: «با توجه به پيشرفت فناوری كوچك‌سازي افزاره نياز به كاهش جريان نشتي و بهبود مشخصات الكترواستاتيكي ترانزيستور احساس مي‌شود. كاستن پيچيدگي طراحي و عدم افزايش توان مصرفي لوازم الكترونيك قابل حمل از جمله محاسن بهبود خطي مدارات است».
شایان ذکر است امكان استفاده از این دستاورد در صنعت نيمه‌هادي و طراحي مدارات الكترونيك مجتمع بطور گسترده وجود دارد. محقق طرح درباره شرط لازم براي تحقق تجاري‌سازي اختراع خود در داخل كشور گفت: «ايجاد بسترهاي لازم جهت طراحي، توليد و ساخت مدارات مجتمع شرط لازم براي تحقق تجاري‌سازي است.
استفاده از این اختراع در ادوات الكترونيكي فركانس راديويي و كاربرد آن براي پيشبرد اهداف كوچك‌سازي ترانزيستور، باعث بهبود كارآيي آي‌سي‌ها مي‌گردد. تبديل شدن نتايج تحقيقات به محصول مشخص، آمادگي بستر فوق را مي‌طلبد». دکتر دقیقی این اختراع‌ها را حاصل تحقيقات شخصي و طرح‌هاي برون دانشگاهي عنوان کرد.
وی حمايت و پرداخت لازم از سوي دانشگاه برای ثبت اختراع و ثبت امتياز لازم جهت ارتقاي مفهوم پتنت را از موانع و مشکلات پیش روی محققانی که قصد ثبت اختراع دارند، عنوان کرد، همچنین آمادگی خود را برای همکاری و ارایه دانش فنی خود به صنعت و سرمایه‌گذاران علاقمند اعلام کرد.
عضو هیئت علمی دانشگاه شهرکرد، حمايت ستاد ويژه توسعه فناوري نانو از ثبت پتنت را جسورانه دانست و گفت: «قطعاً عدم پرداخت حمايت‌هاي مالي و غير مادي به اين موضوع مي‌تواند اين امر را دچار مشكل جدي نمايد.
بنابراين، به عنوان استاد دانشگاه و پژوهشگر، لازم مي‌دانم مراتب تشكر عميق خود از مديران و دست‌اندركاران ستاد داشته باشم». وی در پایان یادآور شد: «حمايت‌هاي ستاد ويژه توسعه فناوري نانو از اختراع 80% مبلغ كل ثبت اختراع است.
توقف پرداخت حمايت تشويقي براي پتنت و الزام مخترع به پرداخت 20% حق ثبت اختراع، بطور حتم بر روند ثبت تاثيرگذار است. با توجه به اهميت مفهوم پتنت و مقايسه آماري آن با ديگر مواردي كه توسط ستاد نانو شامل پرداخت حمايت مي‌گردد، به نظر مي‌رسد كه حمايت تشويقي مالي و امتيازي به مراتب بيشتر از يك مقاله ساده به پتنت بايد تعلق گيرد.
با يك نگاه آماري به موضوع، اهميت آن آشكار مي‌گردد. لازم است از ديد گرايش تخصصي به موضوع توجه خاصي شود. بطور حتم تفاوت آماري زياد مقالات با ضرایب تاثير متفاوت و پتنت‌هاي ثبت شده در رشته‌هاي مختلف دانشگاهي مي‌تواند الهام بخش راهكارهاي جديدي در ميزان پرداخت حمايت تشويقي و نحوه امتياز بندي باشد».
